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清除硬盘通电次数是一个涉及底层硬件操作的技术行为，通常与硬盘固件修改或数据欺骗有关。以下是几种可能的方法及相关技术背景：
1. 固件刷写工具
部分硬盘制造商（如希捷、西芝）提供官方或第三方固件刷写工具（如MHDD、HDAT2）。通过修改SMART（自监测分析报告技术）模块中的通电计时器参数，可重置通电次数。但此操作可能导致硬盘失去官方保修，且需匹配特定硬盘型号和固件版本。部分工具需在DOS环境下运行，并依赖专业指令（如ATA命令）操作寄存器。
2. SMART参数欺骗
利用软件（如HDD Guru开发的工具）直接覆写SMART的0x09属性（通电时间计数器）和0x0C（通电周期计数）。此方法需绕过驱动层校验，可能触发反篡改机制导致数据损坏。部分企业级硬盘（如西数RE系列）采用加密SMART，难以直接修改。
3. PCB主板更换
对机械硬盘而言，通电次数信息可能存储在PCB板的EEPROM芯片中。通过更换同型号硬盘的PCB或重写其SPI闪存内容（需编程器），可间接清零数据。但需注意ROM适配问题，部分新款硬盘（如希捷F3架构）会将部分信息写入盘片系统区。
4. 虚拟化层拦截
在虚拟机环境中，通过Hypervisor（如ESXi、KVM）拦截ATA指令，可伪造SMART信息返回给操作系统。此方法不影响物理硬盘实际状态，仅适用于特定测试场景。
5. 工厂级设备操作
部分硬盘维修机构使用PC-3000等专业设备，通过终端模式访问硬盘服务区（Service Area），直接编辑模块代码。此操作需硬盘进入工厂模式（Factory Mode），存在操作风险。
注意事项：
多数消费级硬盘的SMART数据具有校验机制，强行修改可能导致硬盘锁死。
企业级NVMe SSD（如Intel DC系列）可能使用独立Flash控制器记录通电信息，常规工具无法访问。
从数据安全角度，建议通过备份数据后执行安全擦除（Secure Erase）来重置硬盘状态，而非直接修改SMART。
扩展知识点：
SMART标准中，通电时间通常以小时为单位记录于0x09属性，而通电次数（Power-On Hours Count）属于累计不可逆参数。部分OEM厂商（如联想、HP）会定制SMART阈值，修改后可能触发固件异常。NVMe规范中的SMART/健康信息日志（Log Identifier 02h）同样包含类似字段，但需通过Admin Command访问。
