在华硕主板上,调整内存时序通常需要进入BIOS(UEFI)设置界面。以下是具体的步骤:
一、进入BIOS
1. 重启电脑:在启动时按下 Delete 键或 F2 键进入BIOS界面。
2. 切换到高级模式:华硕BIOS默认是EZ Mode(简易模式),按 F7 进入Advanced Mode(高级模式)。
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二、找到内存设置
1. 进入AI Tweaker或Extreme Tweaker:在高级模式下找到 AI Tweaker 或类似的选项,这是华硕的超频调节界面。
2. 选择DRAM Timing Control:在这里可以查看和调整内存的时序参数。
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三、了解内存时序
内存时序通常以四个主要数字表示,例如 16-18-18-36。这些数字分别指:
- CL(CAS Latency):列地址选通延迟,数据访问的主要延迟时间。
- tRCD(RAS to CAS Delay):行地址到列地址的延迟。
- tRP(Row Precharge Time):行预充电时间,即关闭一行数据后再打开新行所需的时间。
- tRAS(Row Active Time):一行保持激活状态的最小时间。
此外还有一些进阶时序,如tRC、tRFC、tRRD等,通常不需要手动调整。
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四、调整方法
1. 选择手动模式:在DRAM Timing Control中,将内存时序模式从 Auto 改为 Manual。
2. 输入参数:根据内存的规格或者超频需求,手动设置时序参数。
3. 调整电压:如果需要进一步优化,可以在 DRAM Voltage 中调整内存电压,一般DDR4内存的默认电压为1.2V,超频时可能需要1.35V或更高。
4. 保存并重启:按 F10 保存设置并重启,观察系统是否稳定。
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五、注意事项
- 参考内存XMP信息:很多高频内存自带XMP(Extreme Memory Profile),可以在BIOS中直接启用XMP模式,自动设置最佳时序。
- 逐步调整,稳定为主:不要一次性调整过多参数,逐步测试以确保系统稳定。
- 进行压力测试:使用如MemTest86或AIDA64等软件进行内存压力测试,确认时序调整后的稳定性。
如果你有具体的内存型号或想进一步调整特定参数,可以告诉我,我会提供更精确的建议!