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更改内存电压是内存超频过程中的关键步骤之一，需谨慎操作以避免硬件损坏。以下是详细步骤和注意事项：
1. 进入BIOS/UEFI界面
开机时按特定键（如Del、F2、F12，具体因主板厂商而异）进入BIOS。在高级模式（Advanced Mode）中找到内存或电压相关选项，通常位于“超频”（OC）或“高级电压设置”菜单中。
2. 定位内存电压选项
电压选项可能标注为“DRAM Voltage”“VDDQ”“VCCSA”等。DDR4内存默认电压通常为1.2V（JEDEC标准），超频时建议逐步增加至1.35V-1.4V（视内存体质而定）；DDR5默认1.1V，安全范围一般不超过1.45V。
3. 手动调整电压值
选择“手动”（Manual）模式，输入目标电压。电压单位通常为伏特（V），建议以0.01V或0.05V为步进小幅调整，避免瞬间加压过高。部分高端主板支持“负载线校准”（Load-Line Calibration, LLC），可减少电压波动。
4. 其他相关电压设置
- VCCIO/VCCSA电压：影响内存控制器稳定性，DDR4超频时可能需要同步调整（通常范围为1.1V-1.3V）。
- SOC电压（AMD平台）：Ryzen处理器需注意VSOC电压（建议不超过1.2V）。
5. 保存设置并测试稳定性
退出BIOS前保存更改，进入系统后使用MemTest86、AIDA64或Prime95等工具测试内存稳定性。若出现蓝屏或错误，需降低频率或略微提高电压（注意温度监控）。
扩展知识：
内存颗粒类型：不同颗粒（如三星B-Die、海力士CJR）对电压敏感性不同，B-Die通常耐压性较强。
散热措施：高电压可能增加发热，建议加装散热马甲或机箱风扇改善通风。
安全限制：长期使用超过1.5V的电压可能缩短内存寿命，建议在厂商标定的XMP参数范围内操作。
主板差异：低端主板可能存在供电不足或电压调节不准的问题，高端主板（如ROG、AORUS系列）提供更精细的电压调控选项。
