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DDR4内存的时序是指内存模块在读写数据时需要遵守的一系列时间序列要求。以下是DDR4内存的一些主要时序要求：
1. RAS-to-CAS延迟（tRCD）：指内存控制器发送行地址后，多长时间内才能发送列地址。一般情况下为15ns。
2. 行前加热时间（tRAS）：指内存控制器在发出预充电命令后，再次激活同一行所需的时间。一般为36ns。
3. CAS延迟时间（CL）：指在接收到列地址后，多长时间后才能在输出总线上传送数据。一般为15ns。
4. 数据有效延迟时间（tRTP）：指在读取一个内存单元后，如果要读取同一行中另一个内存单元时需要等待的时间。一般为8ns。
5. 列地址选通时间（tCL）：指在CAS信号有效后，内存模块输出的数据需要多长时间才能被处理器读取。一般为15ns。
6. 数据获取时间（tCAS）：指在列地址有效后，多长时间可以得到有效数据。一般为15ns。
这些时序要求保证了内存模块在读写数据时的稳定性和准确性。根据具体的内存模块型号和制造商，这些时序可能会有一定的差异，但大致上遵循上述要求。
